基质刻蚀的高功率外腔面发射激光器

摘要：

为了降低光抽运外腔面发射激光器的热效应,提高激光器的输出功率,采用液体毛细键合方法将逆序生长的半导体外延片与高热导率的碳化硅散热窗口键合,并用化学刻蚀方法去除外延片的基质.实验研究了用基质刻蚀的外延片搭建的外腔面发射激光器的性能.当增益介质的有源区为InGaAs/AlGaAs多量子阱、抽运源为808nm的光纤耦合输出半导体激光器,输出镜对激光波长透过率为3％时,在室温下获得TEM00模的最大输出功率0.52W,激光波长1018nm,光谱线宽2nm(半峰全宽),激光器的光光转换效率约为20％.测得x方向与y方向的M2因子分别为1.01和1.00,说明输出光束为质量优良的近衍射极限高斯光束.结果表明,基质刻蚀技术可明显改善外腔面发射激光器的热性能,获得高功率、高光束质量的激光输出.

关键词：激光器、外腔面发射激光器、多量子阱、基质刻蚀、光抽运

所属期刊栏目：36

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：重庆市高校创新团队建设计划资助项目201013;重庆市高校光学工程重点实验室资助项目0705;重庆师范大学博士启动基金资助项目11XLB014

在线出版日期：2012-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：200-203