10.3969/j.issn.1001-3806.2011.05.010
微波光电导衰减法测量N型4H-SiC少数载流子寿命
为了更好地了解N型4H-SiC的电学特性,评价其晶体质量,采用激光技术和微波光电导作为非接触、非破坏性测量半导体特性的一种工具,描述了其测试原理和实验装置,并讨论了不同的激发强度下,其少数载流子寿命的变化.结果表明,改变入射激光能量(即光子注入水平),样品电压峰值与激发强度成正比,对其载流子寿命几乎没有影响.该方法能方便快捷地测量载流子的寿命,对SiC材料性能的研究具有重要意义.
激光技术、少数载流子寿命、微波光电导、4H-SiC、注入水平
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TN304.2(半导体技术)
广西省自然科学基金资助项目0991253
2012-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
610-612,631