线性损耗和双光子吸收下硅基波导调制不稳定性

摘要：

为了分析线性损耗和双光子吸收对硅基波导调制不稳定性的影响,采用理论论证和数值模拟相结合的研究方法,推导了调制不稳定性增益谱、峰值增益、峰值增益频率和调制带宽的表达式.论证了波导的线性损耗、双光子吸收系数和脉冲光功率等参量对调制不稳定性的影响,并对给定结构参量的脊波导进行了仿真分析.结果表明,即使在微弱的光功率(几十毫瓦)下,在反常色散区仍然存在强烈的调制不稳定性现象,其增益是相同功率下光纤介质的102~103倍;峰值增益频率和增益带宽随波导的线性损耗指数衰减;峰值增益也随双光子吸收系数指数减少.这为硅基波导调制不稳定性实验研究和超连续谱产生提供了理论参考.

关键词：光电子学、硅基波导、调制不稳定性、数值模拟、线性损耗、双光子吸收

所属期刊栏目：34

分类号：TN252(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60677023;国家八六三高技术研究发展计划资助项目2006AA01Z240

在线出版日期：2010-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：489-492