纳米Si/SiNx薄膜的制备及对Nd:YAG激光器的被动调Q

摘要：

为了研究纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料的被动调Q特性,采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理在单晶硅衬底上制备该薄膜,用该样品作为可饱和吸收体,在凹-平腔中实现了氙灯抽运Nd: YAG激光器的被动调Q运转,在抽运重复频率1Hz情况下获得脉宽最小可达19ns的调Q单脉冲输出.并且研究了该薄膜结构特性、激光器参数,如抽运电压、腔长对调Q脉冲输出性能产生的影响.在此基础上,对实验现象产生的原因做了分析讨论.结果表明,纳米硅镶嵌氮化硅薄膜有一定的调Q效果,具有潜在的研究及应用价值.

关键词：激光技术、射频磁控反应溅射、纳米硅镶嵌氮化硅薄膜、Nd∶YAG激光器、被动调Q

所属期刊栏目：32

分类号：TN248.1;O484.4+1(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60678053

在线出版日期：2008-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：163-165,170