硫化锌/多孔硅复合体系光致发光特性的研究
为了研究硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光特性,通过电化学阳极氧化法制备了多孔硅样品,然后用脉冲激光沉积的方法在其上沉积硫化锌薄膜,测量了硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光谱,并对其进行了详细的理论分析和实验验证.结果表明,在不同的激发波长(340nm,360nm,390nm)下,硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光谱不同,硫化锌和多孔硅发光的相对(蓝/红)积分强度比值也不同;硫化锌薄膜的生长温度不同(100℃,250℃,350℃)时,硫化锌/多孔硅复合体系的发光不同,随着生长温度的升高,复合体系的发光谱中,硫化锌的发光增强而多孔硅的发光减弱;衬底多孔硅的制备电流密度不同(3mA/cm2,9mA/cm2,11mA/cm2)时,硫化锌/多孔硅复合体系的发光也有着不同的特点.在适当的多孔硅制备电流密度条件下,把硫化锌的发光与多孔硅的发光叠加,得到了可见光区较宽的光致发光谱带(450nm~700nm),呈现较强的白光发射,这一结果为白光二极管的实现开辟了一条新的捷径.
光学器件、白光、光致发光、脉冲激光沉积、硫化锌、多孔硅
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TN383+.2(半导体技术)
山东省自然科学基金Y2002A09
2008-06-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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128-130,197