G-APD阵列——一种具有单光子灵敏度的三维成像探测器

摘要：

介绍了一种利用盖革模式雪崩二极管(G-APD)作为成像单元的新型阵列光电探测器,重点介绍了该新型成像光电探测器的关键技术、器件研发和系统应用的发展状况.G-APD阵列探测器兼具单光子探测灵敏度和皮秒级时间分辨率两大特点,适用于对极微弱光目标的三维成像探测.同时,G-APD阵列探测器又是一种全固态的光电探测器件,不仅体积小、重量轻、可靠性高,而且还可用现有的微光电子工艺进行规模化生产.因此,G-APD阵列是目前阵列光电探测器件的一个重大发展,必将在各种高端光电成像领域获得广泛的应用.

关键词：光学器件、光电成像探测、雪崩二极管阵列、盖革模式、单光子成像、三维成像

所属期刊栏目：31

分类号：TN312+.7(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2006CB701302;国家自然科学基金40523005;教育部留学回国人员科研启动基金2006331;湖北省武汉市青年科技晨光计划20065004116-04

在线出版日期：2007-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：452-455,554