准分子激光电化学刻蚀硅的刻蚀质量研究

摘要：

为了解决现有硅刻蚀工艺中存在的刻蚀质量等问题,采用激光加工技术和电化学加工技术相结合的工艺对硅进行了刻蚀,研究了该复合工艺的工艺特性.实验中采用248nm KrF准分子激光作光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极n-Si上,实现激光诱导电化学刻蚀.在实验的基础上,研究了激光电化学刻蚀Si的刻蚀孔的基本形貌,并对横向刻蚀和背面冲击等质量问题进行了分析.结果表明,该工艺刻蚀的孔表面质量好、垂直度高;解决了碱液中Si各向异性刻蚀的自停止问题,具有加工大深宽比微结构的能力;也具有不需光刻显影就能进行图形加工的优越性.

关键词：激光技术、光电化学、准分子激光、刻蚀、硅

所属期刊栏目：30

分类号：TG665

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA421190;国家重点基础研究发展计划973计划2003CB716207;中国科学院资助项目50405033

在线出版日期：2006-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：235-237