10.3969/j.issn.1001-3806.2002.01.025
畸变的掩模对光刻图形质量的影响
基于描述激光直写邻近效应的双高斯函数之差抗蚀剂模型,计算分析了邻近效应带来的掩模加工的偏差,及其对光刻图形质量的影响.模拟结果表明,当掩模的特征尺寸为1.5μm时,激光直写所加工掩模的相对面积偏差达5%,并对最终的光刻图形的质量产生严重影响.
激光直写、邻近效应、分辨力、抗蚀剂模型
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TN249(光电子技术、激光技术)
国家重点实验室基金;国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研项目
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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