10.3969/j.issn.1001-3806.2002.01.002
调整VO2薄膜相变特性和TCR的制备及辐照方法
采用不同的真空还原时间、真空退火温度和衬底制备出了VO2薄膜,并对制备出的薄膜进行电子辐照.通过测试辐照前后的VO2 薄膜相变电学性能及低温半导体相电阻-温度系数(TCR),表明不同的制备工艺和不同注量的电子辐照可明显改变VO2薄膜相变过程中电学性能,提高薄膜的电阻-温度系数.对影响VO2 热致相变薄膜电学性能及电阻温度系数的因素进行了讨论.
VO2薄膜、电阻温度系数、电学性能、电子辐照
26
O484 5;TQ135 1(固体物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
58-60