调整VO2薄膜相变特性和TCR的制备及辐照方法

摘要：

采用不同的真空还原时间、真空退火温度和衬底制备出了VO2薄膜,并对制备出的薄膜进行电子辐照.通过测试辐照前后的VO2 薄膜相变电学性能及低温半导体相电阻-温度系数(TCR),表明不同的制备工艺和不同注量的电子辐照可明显改变VO2薄膜相变过程中电学性能,提高薄膜的电阻-温度系数.对影响VO2 热致相变薄膜电学性能及电阻温度系数的因素进行了讨论.

关键词：VO2薄膜、电阻温度系数、电学性能、电子辐照

所属期刊栏目：26

分类号：O484 5;TQ135 1(固体物理学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：58-60