单晶α-氧化铝晶圆的研磨特性研究

摘要：

开发微孔陶瓷研磨装置,并制备GC磨料和C磨料研磨盘,分别对单晶α-氧化铝晶圆进行研磨加工试验.试验结果表明:与C磨料研磨盘相比,GC磨料研磨盘对单晶α-氧化铝晶圆的研磨效果更佳;使用GC磨料研磨盘研磨10 min后,晶圆材料去除率为1.05～1.15μm/min,表面粗糙度Sa达15～16 nm;在研磨40～50 min时,研磨盘的研磨效率下降,晶圆材料去除率增加至1.4～1.5μm/min,但表面粗糙度Sa仅提高至15.5～16.5 nm.尽管如此,在保证表面加工质量的前提下,晶圆的材料去除率仍能达到1μm/min以上的工业加工标准,表明所开发的微孔陶瓷研磨装置能够较好地满足单晶α-氧化铝晶圆的研磨加工要求.

关键词：陶瓷研磨装置;GC/C磨料研磨盘;单晶α-氧化铝晶圆;研磨特性

所属期刊栏目：49

分类号：TG580.68(金属切削加工及机床)

资助基金：国家自然科学基金青年科学基金项目;江苏省自然科学基金青年基金项目;江苏高校"青蓝工程"资助项目2019

在线出版日期：2021-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：51-54