基于SiC MOSFET的功率合成发射机

摘要：

针对在对潜甚低频通信中的长波通信功率放大技术中存在的功率损耗大、功率密度低等问题,论文提出采用第三代宽禁带半导体SiC器件制作功率合成发射机.其能够提高功率密度,减少功率损耗.论文详细分析了基于SiC MOS?FET的功率合成发射机的基本原理以及参数设计,并且推导了级联功率桥消除低次谐波的控制算法和可调直流电源的闭环控制算法,并通过Matlab/Simulink仿真验证了参数设计的合理性.

关键词：SiC MOSFET、发射机、甚低频、Matlab/Simulink

所属期刊栏目：39

分类号：TN957

在线出版日期：2019-05-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：68-72,76