C波段低相噪频率源的设计

摘要：

介绍基于DRO(Dielectric Resonator Oscillator)技术的低相噪微波频率源,由于DRO的高Q值其相比于锁相环(PLL)技术具有更低的相位噪声,用低温度系数的介质谐振器,有效地改善了振荡器的频率温度稳定性.同时减小介质谐振器与微带线之间的耦合度,能进一步改善相位噪声.论文设计的输出频率为4GHz的DRO在频偏10KHz处相位噪声-122dBc/Hz,输出功率8.5dBm,二次谐波抑制-42dBc,证明了其在低相位噪声频率源应用上的优势.

关键词：频率源、介质振荡器、相位噪声、耦合度

所属期刊栏目：34

分类号：TN74(基本电子电路)

在线出版日期：2014-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：71-75