FD-SOI技术助力中国半导体业快速崛起

摘要：

FD-SOI(全耗尽绝缘硅)是一项采用现有的制造方法和基础设施,通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层(BOX)上再生长一层超薄的单晶硅层来实现平面晶体管结构的技术.FD-SOI技术集成了两大互相协作的创新工艺:一是在底部硅层上部使用超薄的氧化绝缘体.

机标关键词：快速崛起、半导体、技术助力

分类号：F061.5;G80-5;F842.65

在线出版日期：2016-06-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：12-13