抗辐射性让FRAM技高一筹

摘要：

铁电存储器(FRAM)是运用铁电材料(PZT等)的铁电性(Ferro electricity)和铁电效应(Ferroelectric Effect)来进行非易失性数据存储,又可以像RAM一样操作.与其他固态存储技术相比,它表现出多、快、省三大特点,因此在物联网、医疗电子、消费电子、工业电子等领域迅速得到应用.
富士通半导体拥有15年的FRAM量产经验,已经走在技术与市场的前列.该公司(上海)有限公司市场部经理蔡振宇在不久前的易维讯年度中国ICT媒体论坛上曾详细解读了FRAM所拥有的这些优势和特点,他指出,多指的是FRAM的高读写耐久性(1万亿次)的特点,可以频繁记录操作历史和系统状态;快指的是FRAM的高速烧写(是EEPROM的40000倍)特性,这可以帮助系统设计者解决突然断电数据丢失的问题;省指的是FRAM超低功耗(是EEPROM的1/1000)特性,特别是写入时无需升压.除了与EEPROM相比具有明显优势外,相比其他的存储器,如FLASH和SRAM,FRAM在性能上同样更胜一筹.

机标关键词：抗辐射性、fram

分类号：TP333;TP277;TS102.22

在线出版日期：2015-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：23