导入闸极屏蔽结构令沟槽式MOSFET功耗锐减
如何得到更高的系统效率和功率密度，是现代数据和电信电源系统的关键，因为一个小而高效率的电源系统，可以有效节省空间与能源费用。从拓扑结构的角度来看，变压器将交流电转换成直流电的同步整流，是许多应用中开关电源二次侧的主要模块架构，此能改善能源转换中的导通损耗和开关损耗。从元件的角度来看，功率金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)在过去十年有长足的进步，也因而衍生出新的拓扑结构和高功率密度电源。
mosfet、屏蔽结构、沟槽式
TN386;TN432;TN710
2014-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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