碳化硅MOSFET基于栅压延时关断方法的结温监测技术研究

摘要：

准确监测功率器件结温一直是器件厂商及应用端非常重要的一项工作 主流的温敏电参数法由于响应速度快、测量准确,被广泛地应用于各个领域.目前在硅基器件应用上已相对成熟,然而由于碳化硅器件的高开关特性及栅极氧化层缺陷,采用电参数法会产生更强烈的寄生振荡与高频EM I噪声,这对于测量器件初始温度会带来很大的误差,因此文章提出一种栅压延时关断的改进电参数法测试方案,抑制器件关断阶段的VDS振荡,通过仿真及电路应用验证,以及热阻测试对比分析,验证了这种栅压延时方案能够有效抑制波形振荡,达到准确测量器件结温的目的.

关键词：栅极电压延时、温敏电参数、结构函数、碳化硅MOSFET、热阻

分类号：TN304.2+4(半导体技术)

资助基金：湖南省重点研发计划项目2022GK2006

在线出版日期：2023-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：145-151