栅极偏置对SiC MOSFET总剂量效应的影响及加固

摘要：

文章针对总剂量效应造成的MOSFET阈值漂移问题,使用1 200 VSiC MOSFET进行辐照试验,对栅极偏压和辐照后高温栅极偏置退火对阈值漂移的影响和原理进行了研究.通过中带电压法分析发现,造成阈值电压负向漂移的主要原因是辐照产生的空穴被近界面陷阱俘获.通过对不同栅极氧化层退火条件制备的SiC MOSFET试验和分析,得出了当使用氮化气体退火进行总剂量效应加固时,需要折中考虑对沟道迁移率的影响;在5％氮化气体体积分数、1 300℃下退火60 min的条件下制备出来的SiC MOSFET沟道迁移率较高,并且抗总剂量效应能力较强.

关键词：4H-SiC MOSFET、总剂量效应、阈值漂移、栅极偏置、退火

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金

在线出版日期：2023-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：63-70