SiC芯片微型化及发展趋势

摘要：

新能源汽车与光伏作为SiC器件发展的重要推手,促进国内碳化硅产业链日趋完善,设计和制造进展快速,部分制造商器件特性已达到或接近国际领先水平.然而,由于SiC器件价格偏高,器件成本成为限制SiC器件进一步渗透市场的最主要因素.SiC芯片微型化能够显著降低芯片成本,已成为进一步加快SiC技术在新能源领域的大规模应用的有效途径之一.文章对近年来SiC芯片微型化的发展进行了梳理总结,对芯片微型化的必要性进行了分析,并提出了 SiC芯片微型化的解决办法,阐述了国际SiC芯片微型化进展,对国内SiC技术近阶段的快速发展进行了阶段性总结,并揭示了芯片微型化将面临的各种挑战.最后,对国内SiC器件发展的机遇和未来进行了展望,为进一步研发提供思路和参考.

关键词：碳化硅、宽禁带半导体、功率器件、微型化、金属-氧化物-半导体场效应晶体管

分类号：TN304.2+4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金62150710546

在线出版日期：2023-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共17页

页码：46-62