碳化硅超结器件的研究进展

摘要：

碳化硅(SiC)材料由于其出色的物理和化学特性,非常适用于制造高温和大功率半导体器件.虽然SiC功率二极管和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)展示了出色的器件性能,并获得广泛的应用,但是其单极型器件的一维理论极限仍限制了传统器件性能的进一步提升.超结(SJ)作为一种在硅基器件中广泛应用的技术,能明显改善器件击穿电压和比导通电阻之间的折中关系,提升器件的性能 近年来,SiC SJ器件逐渐成为研究的热点,并取得显著进展 文章从SiC SJ器件的设计与仿真模拟、模型研究和SJ工艺制备技术等方面论述了其最新研究现状及发展方向.

关键词：碳化硅、超结、二极管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、研究进展

分类号：TN304.24(半导体技术)

资助基金：广东省基础与应用基础研究基金项目2023A1515010068

在线出版日期：2023-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：36-45