碳化硅沟槽栅MOSFET技术研究进展

摘要：

第三代宽禁带半导体碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具备耐高压、耐高温和低损耗等优点,迅速成为行业的研究热点.文章结合SiC功率MOSFET器件发展历史,探讨了从平面栅技术发展到沟槽栅技术的必要性,介绍了 SiC沟槽栅MOSFET结构设计、沟槽刻蚀工艺和沟槽栅氧工艺等核心问题的研究进展与技术挑战,并对未来新型SiC沟槽栅MOSFET技术进行了展望.

关键词：碳化硅、沟槽栅MOSFET、沟槽工艺、沟槽栅氧、沟槽结构、新型沟槽

分类号：TN304.2+4(半导体技术)

资助基金：湖南省科技重大项目2021GK1180

在线出版日期：2023-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共16页

页码：10-25