SiC MOSFET模块串扰问题及应用对策研究

摘要：

针对SiC MOSFET模块应用过程中出现的串扰问题,文章首先对3种测量差分探头的参数和测量波形进行对比,有效减小测量误差;然后详细分析串扰引起模块栅源极出现电压正向抬升和负向峰值过大的原因,并提出3种有效应用对策:减小栅极阻抗、采用有源米勒箝位和三级关断串扰抑制电路.其中,减小栅极阻抗可减小感应压降,抑制栅源极过压;有源米勒箝位技术使栅源极电压串扰波形幅值限制在箝位电压范围;利用三级关断串扰抑制电路技术,显著抑制了栅源极电压的正向抬升和负向峰值,最后通过试验仿真验证了 3种方法的有效性.

关键词：串扰问题、栅源极电压、栅极阻抗、有源米勒箝位、三级关断电平驱动技术

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2022YFB3604103

在线出版日期：2023-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：36-42