基于大功率全SiC器件的变换器研究

摘要：

为了适应变流器产品高频化、高功率密度的发展趋势,研究了大功率全SiC MOSFET器件在变换器中的应用,讨论了全SiC MOSFET器件在应用中的杂散参数问题和桥臂串扰问题.通过双脉冲试验,重点研究了驱动电阻和吸收装置对大功率全SiC MOSFET器件关断尖峰电压的影响.结合实际产品研究了基于大功率SiC MOSFET器件在轨道交通Boost变换器中的应用.试验表明,相对于硅基IGBT器件,采用SiC MOSFET器件能给变换器带来轻量化、工作频率、效率的全方位提升.

关键词：SiC器件、SiC MOSFET、杂散电感、桥臂串扰、振荡抑制、高频化

分类号：U264.3+7;TN304.2+4(机车工程)

在线出版日期：2019-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：63-66