10.13890/j.issn.1000-128x.2015.03.004
IGBT模块功率循环能力与可靠性试验
为验证IGBT模块的可靠性,分析了IGBT模块的封装结构,并在传统IGBT模块功率循环试验的基础上建立新的模型,通过具体的试验得到IGBT模块功率循环后失效状况,并对该状况进行分析.相对传统IGBT寿命预测和可靠性评估,该功率循环的新方法更加贴合实际应用工况,对IGBT失效分析具有借鉴作用.
IGBT模块、封装结构、失效、功率循环、模块性能、可靠性试验
TN32;TN306(半导体技术)
2015-06-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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