10.3321/j.issn:1000-1190.2005.02.023
纳米氧化锡枝蔓晶的制备及形成机理
以SnCl4·5H2O等为主要原料, 在160~200℃时成功地制备出分散性好、晶型完整、结构稳定的四方晶型纳米氧化锡枝蔓晶,并用透射电子显微镜、电子衍射、X射线衍射等技术手段对氧化锡纳米晶的结构和形貌进行了表征.结果表明: 制备得到的SnO2 微晶具有枝蔓状外观结构,其躯干长为3~5 μm,直径为100~200 nm,枝节长为5~8 μm,直径为10 ~40 nm.同时对其可能形成机理进行了探讨,初步认为其形成过程是一个成核并延伸生长的过程.
氧化锡、纳米材料、枝蔓晶、压力-热晶法
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TQ584.34
国家自然科学基金20207002
2005-07-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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