纳米氧化锡枝蔓晶的制备及形成机理
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10.3321/j.issn:1000-1190.2005.02.023

纳米氧化锡枝蔓晶的制备及形成机理

引用
以SnCl4·5H2O等为主要原料, 在160~200℃时成功地制备出分散性好、晶型完整、结构稳定的四方晶型纳米氧化锡枝蔓晶,并用透射电子显微镜、电子衍射、X射线衍射等技术手段对氧化锡纳米晶的结构和形貌进行了表征.结果表明: 制备得到的SnO2 微晶具有枝蔓状外观结构,其躯干长为3~5 μm,直径为100~200 nm,枝节长为5~8 μm,直径为10 ~40 nm.同时对其可能形成机理进行了探讨,初步认为其形成过程是一个成核并延伸生长的过程.

氧化锡、纳米材料、枝蔓晶、压力-热晶法

39

TQ584.34

国家自然科学基金20207002

2005-07-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

228-231

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华中师范大学学报(自然科学版)

1000-1190

42-1178/N

39

2005,39(2)

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