10.3969/j.issn.1006-6519.2008.05.007
可控硅的反向恢复触发保护探讨
可控硅是直流输电系统的核心元件,因此对可控硅保护的研究十分必要.可控硅在熄灭过程中,如果突然承受正向电压,可能出现局部导通产生局部过热导致可控硅遭受破坏的情况.为避免这种情况的发生,设置了反向恢复触发保护,该功能向可控硅发一触发脉冲使之均匀导通.对可控硅反向恢复期的情况进行了介绍,分析了现有反向恢复触发保护电路的工作原理及存在的缺陷,并从如何改进保护动作的灵敏性和可靠性方面提出了建议.
高压直流输电、可控硅、反向恢复触发保护、TCU单元
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TM77(输配电工程、电力网及电力系统)
2009-01-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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26-28,32