10.3969/j.issn.1004-1656.2016.11.013
负极腐蚀膜对AZ镁合金点蚀的影响
为分析镁合金表面膜的活性位置,建立起镁负极的点蚀破坏与电化学特性的关联性,本文采用循环伏安和电化学阻抗技术研究了AZ镁合金在MgSO4溶液中的点蚀行为,从电解质浓度、电位扫描速度、阴极极化角度探讨腐蚀膜对镁合金点蚀的影响。电化学阻抗谱由两个连续容抗弧构成,其电荷转移电阻和膜电阻均随MgSO4溶液浓度增大而减小,当MgSO4溶液浓度为1.5 mol/L时,AZ31B合金表面膜阻抗最低,容易发生点蚀。扫描速率从3.3 mV/s下降至0.17 mV/s时,AZ63合金点蚀滞后环面积先增加后减小,击穿电位负移。控制阴极极化起始电位负移,则击穿电位降低,滞后环的面积增加,AZ镁合金的点蚀倾向变大;而在阴极过电位下停留可降低表面膜的腐蚀破坏程度,有利于抑制镁合金点腐蚀的发展。
AZ镁合金、表面膜、点蚀
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TG172(金属学与热处理)
国家自然科学基金项目21273292;材料腐蚀与防护四川省重点实验室项目2014CL12;四川理工学院人才引进项目2015RC58
2016-12-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
1599-1604