分子印迹铜离子伏安传感器的研制与应用

摘要：

利用分子印迹技术,以铜离子为模板,邻苯二胺为功能单体,在碳纳米管修饰的玻碳电极表面原位聚合,制备了铜离子印迹电化学传感器.采用差示脉冲伏安法对铜离子在该印迹电极上的电化学行为进行了研究.铜离子在2.0×l0-3 ～1.0×l0-10mol·L-1浓度区间内与峰电流呈线性关系,其线性回归方程为Ip=1.660gC-1.999(I:μA,C:μmol·L-1),相关系数为0.9920,检出限(S/N=3)达1.8×10-11 mol·L-1,该法可用于自来水样中铜离子的检测.

关键词：铜离子、碳纳米管、分子印迹聚合物膜、电化学传感器

所属期刊栏目：25

分类号：O657(分析化学)

资助基金：国家自然科学基金项目20965007;甘肃省高分子材料重点实验室项目资助

在线出版日期：2014-01-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1351-1356