10.3969/j.issn.1004-1656.2010.06.003
掺Ti和未掺Ti的α-Fe2O3薄膜光电性质的研究
本文采用旋涂法制备了掺Ti和未掺Ti的Fe2O3薄膜,并对其薄膜的结构和光电特性进行了系统测试分析.XRD结果证实掺Ti和未掺Ti的薄膜均为α-Fe2O3.SEM测试表明α-Fe2O3薄膜微观结构为纳米线结构,具有沟壑结构,粒径长度约为150nm,掺杂Ti使薄膜更均匀致密,晶体颗粒更小,比表面积更大.紫外-可见光谱实验发现了掺杂Ti使薄膜产生"蓝移",禁带宽度大,验证了SEM测试结果.IPCE实验结果结果说明了掺杂Ti的α-Fe2O3薄膜的光电性能大大好于未掺杂的薄膜.
旋涂法、Ti掺杂的α-Fe2O3薄膜、吸收蓝移、IPCE
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O649(物理化学(理论化学)、化学物理学)
科技部863项目2006AA05Z102;教育部科技创新工程重大项目培育资金项目707050;高等学校博士学科点专项科研基金20060610023;成都市科技局攻关计划06GGYB449GX-030,07GGZD139GX
2010-08-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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