10.3969/j.issn.1004-1656.2010.04.007
盐酸雷尼替丁印迹聚合物膜电极的制备与应用
研究了盐酸雷尼替丁印迹聚合物离子选择性电极的制备、特性及应用.该电极在1.0×10~(-5)~1.0×10~(-2) mol /L范围内表现能斯特响应,斜率为-28.18mV/pC,检测下限为5.2×10_(-6)mol/L,原料回收率为96.8%~104.6%.该电极与先前报道的电极相比,具有更高的选择性、灵敏性和抗干扰性.利用该电极对雷尼替丁原料、胶囊含量进行了测定,结果与药典法一致.
分子印迹聚合物、盐酸雷尼替丁、离子选择性电极、聚氯乙烯膜
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O657.1(分析化学)
河北省科技厅重点资助项目07276101D-37
2010-06-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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