10.3969/j.issn.1004-1656.2008.09.028
化学水浴沉积法制备CdSe薄膜
@@ CdSe是直接跃迁宽带隙的II-VI族化合物半导体,具有立方和六方两种结构,以及与太阳谱中可见光波段相适宜的带宽(<1.7ev),是制作异质结太阳电池和光电化学太阳电池的重要原料[1,2].
CdSe薄膜、化学水浴沉积
20
O611.4(无机化学)
2008-11-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
1209-1211
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10.3969/j.issn.1004-1656.2008.09.028
CdSe薄膜、化学水浴沉积
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O611.4(无机化学)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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