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10.3969/j.issn.1004-1656.2008.09.028

化学水浴沉积法制备CdSe薄膜

引用
@@ CdSe是直接跃迁宽带隙的II-VI族化合物半导体,具有立方和六方两种结构,以及与太阳谱中可见光波段相适宜的带宽(<1.7ev),是制作异质结太阳电池和光电化学太阳电池的重要原料[1,2].

CdSe薄膜、化学水浴沉积

20

O611.4(无机化学)

2008-11-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

1209-1211

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化学研究与应用

1004-1656

51-1378/O6

20

2008,20(9)

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