10.3969/j.issn.1004-1656.2008.01.004
对乙酰氨基酚在L-半胱氨酸修饰金电极上的不可逆双安培测定
在裸金电极上制备了L-半胱氨酸自组装膜修饰电极(L-Cys/SAM- CME),研究了对乙酰氨基酚(AP)在L-Cys/SAM-CME上的电化学行为,结果发现该修饰电极对AP的氧化具有催化作用,与裸金电极相比,氧化峰电位降低了68mV,峰电流增大了1.2×10-5A.本文探讨自组装膜修饰技术用于构建不可逆双安培法的可行性,利用对AP在L-Cys/SAM- CME上的催化氧化和高锰酸钾在裸金电极上的还原构建双安培检测体系,建立了在外加电压为0V条件下流动注射双安培法直接测定对AP的方法.在0V外加电压下,0.05mol/L硫酸载液中,测得对AP的峰电流与其浓度在2.0×10-7mol/L~2.0×10-4 mol/L范围内呈良好的线性关系(r=0.9986,n=13),检出限为9.4×10-8 mol/L.连续测定1.00×10-4mol/L的AP溶液20次,电流值RSD为1.90%,进样频率为80样/h.
L-半胱氨酸、不可逆双安培法、修饰电极、对乙酰氨基酚
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O657.15(分析化学)
国家自然科学基金20665001;广西科学基金0640029;广西研究生教育创新计划2006105930502m33
2008-05-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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