In掺杂CdTe/CdZnTe晶体的光学评价机制探讨

摘要：

通过改进的垂直布里奇曼法(MVB),引入铟(In)元素掺杂,在Te过量条件下生长CdTe:In和CdZnTe:In晶体,对比研究了两种晶体的质量、电学性能与光学性能之间的关联.结果表明,晶体的结晶质量和电学性能优劣可通过晶体光学性能结果给出定性评价.一方面,CdZnTe:In晶体的红外透过率高,达到了63％,接近于理论值,同时晶体中富Te相的形貌与尺寸相似、分布均匀,故CdZnTe:In晶体的结晶质量较好,相应的晶体电阻率达到了109数量级,电学性能较好.另一方面,CdZnTe:In晶体的光致发光谱中出现的(D0,X)峰较尖锐,半峰宽约为8.6 meV,且谱峰中相邻的FE峰清晰可见,这表明CdZnTe:In晶体中Te夹杂/沉淀数量少,晶体具有高阻特性.

关键词：CdTe、CdZnTe、改进的垂直布里奇曼法、掺杂、光学性能

所属期刊栏目：30

分类号：O734(晶体物理)

资助基金：国家自然科学基金51502234,51602242;陕西省自然科学基础研究计划2018JM5097

在线出版日期：2019-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：159-164