三缺位杂多阴离子PW9O349-的二苯基硅衍生物的合成和表征

摘要：

以Na8H[PW9O34]·nH2O与Ph2SiCl2为原料于乙腈中合成了三缺位杂多阴离子的二苯基硅衍生物(TBA)3[α-A-PW9O34(Ph2Si)3](TBA为四丁基铵盐的缩写)(记为I),并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征,结果表明,二苯基硅通过六个Si-O-W桥键填充到三缺位杂多阴离子的骨架上,形成了开环的饱和笼形结构.热分析结果表明,该化合物的热分解温度在495.2℃左右.

关键词：二苯基硅、三缺位杂多阴离子、合成和表征

所属期刊栏目：13

分类号：O613.72(无机化学)

资助基金：河南省杰出青年科学基金;河南省自然科学基金004040300,004031800

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：8-10