芯片制造中的化学镀技术研究进展

摘要：

芯片制造中大量使用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、热压键合等技术来实现芯片导电互连.与这些技术相比,化学镀因具有均镀保形能力强、工艺条件温和、设备成本低、操作简单等优点,被人们期望应用于芯片制造中,从而在近年来得到大量的研究.本综述首先简介了芯片制造中导电互连包括芯片内互连、芯片3D封装硅通孔(TSV)、重布线层、凸点、键合、封装载板孔金属化等制程中传统制造技术与化学镀技术的对比,说明了化学镀用于芯片制造中的优势;然后总结了芯片化学镀的原理与种类、接枝与活化前处理方法和关键材料;并详细介绍了芯片内互连和TSV互连化学镀阻挡层、种子层、互连孔填充、化学镀凸点、再布线层、封装载板孔互连种子层以及凸点间键合的研究进展;且讨论了化学镀液组成及作用,超级化学镀填孔添加剂及机理等.最后对化学镀技术未来应用于新一代芯片制造中进行了展望.

关键词：芯片导电互连、3D封装硅通孔、阻挡层、种子层、凸点、键合

所属期刊栏目：80

分类号：TQ153.1+4;TN304.055;TG174.4

在线出版日期：2023-03-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共21页

页码：1643-1663