硒化亚锗薄膜太阳能电池研究进展

摘要：

硒化亚锗(GeSe)禁带宽度合适(≈ 1.14 eV),吸光系数大(＞105cm-1),迁移率高(128.7cm2·V-1·s-1),价带顶中包含反键轨道赋予了其本征缺陷良性,理论光电转换效率可达30％以上,适合于制作高效薄膜太阳能电池;同时GeSe具有毒性低、储量丰富、组分简单及稳定性强等优点,还易于通过低成本的升华法进行薄膜制备,从而在大规模应用方面具有巨大潜力.以GeSe为研究对象,介绍了 GeSe基本性质,总结了 GeSe薄膜制备研究进展,阐述了 GeSe薄膜太阳能电池研究现状,并展望了其今后发展方向与趋势.

关键词：GeSe、太阳能电池、光伏、薄膜制备、缺陷性质

所属期刊栏目：80

分类号：TN304.055;O614.353;TM914.4

资助基金：中国科学院青年创新促进会项目;中国科学院青年创新促进会项目

在线出版日期：2022-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：797-804