基于过渡金属配合物的阻变存储材料
阻变型电存储依靠外加电场作用下存储介质的导电性高低差异,即电学双稳态或多稳态来实现数据存取,并具有高容量、高柔韧性、低成本、低能耗、可规模化等优点,为下一代高密度存储技术提供新前景除了无机氧化物、碳纳米材料、有机小分子和有机聚合物半导体材料之外,近年来,过渡金属配合物在阻变型电存储方面的应用也引起广泛关注.本文对迄今为止报道的大部分基于过渡金属配合物的阻变存储材料进行了总结和讨论,主要包括第Ⅷ族金属[包括Fe(Ⅱ)、Ru(Ⅱ)、Co(Ⅲ)、Rh(Ⅲ)、Ir(Ⅲ)、Pt(Ⅱ)等配合物]、第ⅠB族和ⅡB族金属[Cu(Ⅱ)、Au(Ⅲ)、Zn(Ⅱ)等配合物]和镧系过渡金属配合物[Eu(Ⅲ)及其它],并对各种配合物的存储行为和存储机理进行了探讨.过渡金属配合物具有清晰可逆的氧化还原过程,通过改变配体的结构和金属的种类可以很方便地调节材料的前线轨道能级和能隙,利于形成电学双稳态或多稳态,达到二进制或多进制存储的目的,具有潜在应用价值.
阻变存储、信息存储、过渡金属配合物、光电器件、光电材料
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Project supported by the National Natural Science Foundation of China grants 21271176,21472196,21521062,and 21501183,the Ministry of Science and Technology of China grant 2012YQ120060,and the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sciences grant XDB 12010400.项目受国家自然科学基金21271176,21472196,21 521062,21501183,科技部重大仪器设备开发专项2012YQ120060,中科院先导BXDB 12010400项目资助.
2016-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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