二维Bi2Se3晶体对罗丹明6G分子的荧光猝灭效应研究

摘要：

首次研究了拓扑绝缘体Bi2Se3二维晶体对其表面吸附的罗丹明6G分子的荧光猝灭效应,证明薄层Bi2Se3可以有效猝灭罗丹明6G分子的荧光,且随Bi2Se3二维晶体的厚度从单层增加到8层,荧光猝灭效应增强,并初步探讨了其荧光猝灭机理.

关键词：拓扑绝缘体、二维晶体、荧光猝灭、Bi2Se3

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资助基金：项目受国家重大科学研究计划Nos.2014CB932500,2011CB921904,2013CB932603、国家自然科学基金Nos.21173004,21222303,51121091和中组部"万人计划"青年拔尖人才计划资助;Project supported by the National Basic Research Program of China Nos.2014CB932500, 2011CB921904, and 2013CB932603, the National Natural Science Foundation of China Nos.21173004, 21222303, and 51121091, and National Program for Support of Top-Notch Young Professionals.

在线出版日期：2015-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：944-948