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10.6023/A14110806

溶剂蒸汽退火法制备有机小分子半导体单晶

引用
溶剂蒸汽退火(Solvent Vapor Annealing,SVA)是一种经济高效的小分子半导体晶体生长制备方法.本工作通过该方法制备出了多种小分子有机半导体单晶,通过偏光显微镜,XRD,TEM和AFM对得到的单晶的形貌和晶体结构进行了表征.此外,我们对退火所用溶剂的溶解度、蒸汽退火的环境温度和聚合物介质的引入等影响因素进行了讨论.研究发现,SVA过程中随着退火溶剂对有机半导体的溶解度增大,得到的晶体尺寸也随之增大;此外,当退火温度升高,晶体生长速度加快,但当温度接近溶剂蒸汽的沸点时,晶体极易产生缺陷;聚合物的引入可以大大促进SVA进程,并且生长得到的有机半导体单晶缺陷更少,尺寸更大.

有机半导体、单晶、溶剂蒸汽退火

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Project supported by the National Natural Science Foundation of China Nos.21174008,51273009 and the 973 Program No.2013CB933000.项目受国家自然科学基金Nos.21174008,51273009和973计划No.2013CB933000资助.

2015-03-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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化学学报

0567-7351

31-1320/O6

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2015,73(1)

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