石墨烯掺杂的研究进展
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10.6023/A14020093

石墨烯掺杂的研究进展

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石墨烯的p型和n型掺杂调控对于石墨烯基功能器件的构筑至关重要.近年来,随着化学气相沉积(CVD)石墨烯技术的发展和广泛应用,CVD石墨烯掺杂技术及相应性能调控的研究也取得了极大进展.本文主要介绍了近几年来石墨烯,特别是CVD生长石墨烯掺杂研究的发展,讨论了金属电极接触、气体小分子吸附、氧化性及还原性极性分子吸附及晶格掺杂等多种石墨烯掺杂的方法,同时介绍了近期出现的对双层石墨烯能带调控以及制造石墨烯p-n结的研究,展望了石墨烯掺杂对于其功能器件研究的作用和发展前景.

石墨烯、掺杂、半导体、带隙

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项目受南京航空航天大学基本科研业务费No.NS2013096资助.Project supported by the NUAA Fundamental Research Funds NS2013096

2014-04-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共11页

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0567-7351

31-1320/O6

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2014,72(3)

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