Ge2Sb2Te5的化学机械抛光研究进展
相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为最有可能成为下一代存储器的主流产品,Ge2Sb2Te5 (GST)作为一种传统相变材料已经被广泛应用在相变存储器中,而GST的化学机械抛光作为相变存储器生产的关键工艺目前已被采用.本工作综述了有关GST的化学机械抛光技术研究进展,讨论了GST化学机械抛光过程的影响因素,如下压力、转速、抛光垫、磨料、氧化剂、表面活性剂等,并对目前GST的化学机械抛光机理进行了归纳,进一步展望了GST的化学机械抛光技术的发展前景.
Ge2Sb2Te5、化学机械抛光、相变存储器
71
Project Supported by the National Key Basic Research Program of China.2010CB934300,2011CBA00607,2011 CB9328004;National Integrate Circuit Research Program of China2009ZX02023-003;National Natural Science Foundation of China60906004,60906003,61006087,61076121,61176122,61106001;Science and Technology Council of Shanghai12nm0503701;项目受国家重点基础研究发展计划.2010CB934300,2011CBA00607,2011CB9328004;国家集成电路重大专项2009ZX02023-003;国家自然科学基金.60906004,60906003,61006087,61076121,61176122,61106001;上海市科委12nm0503701
2013-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
1111-1117
