合成引发方式对槲皮素一钴（Ⅱ）配位印迹聚合物结构与性能的影响

摘要：

以槲皮素-钴（Ⅱ）的配合物为模板分子，在强极性甲醇溶剂中分别采用低温光引发和高温热引发聚合制备槲皮素-钴（Ⅱ）配位印迹聚合物．紫外一可见光谱分析确定了槲皮素与钴（Ⅱ）形成配合物的最佳配位比．根据印迹聚合物的平衡结合量优化功能单体丙烯酰胺用量．利用红外光谱、透射电镜和平衡结合实验，考察不同引发方式对聚合物的结构、微观形貌及结合性能的影响．进一步通过特异吸附容量和印迹指数确定，低温光引发聚合更适于配位分子印迹聚合物的制备．同时研究了不同阳、阴离子对印迹聚合物选择识别性的影响．结果表明光引发的金属配位分子印迹聚合物具有良好的吸附选择性．印迹指数可达3．919．

关键词：分子印迹技术、印迹聚合物、金属配位键、槲皮素、钴(Ⅱ)

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分类号：O641.3(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：天津市自然科学基金重点项目N0.10JczDJc21900

在线出版日期：2012-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：921-928