高温水中添加微量Zn（2＋）对Inconel600合金氧化膜半导体性质的影响

摘要：

核电站采用Zn2＋注入技术减少一回路镍基材料的应力腐蚀和辐射污染.向高温水中添加微量Zn2＋制备Inconel600合金表面氧化膜,用光电化学响应技术和容抗测量技术研究Zn2＋对氧化膜半导体性质的影响.光电化学响应结果表明,氧化膜中不同氧化相的特征带隙宽度分别为Fe2O3 2.2 eV,Cr2O3 3.5 eV,FexNi1-xCr2O4 4.1 eV和ZnO 3.2eV;在开路电压下,无Zn2＋参与生成的氧化膜表现阴极光电流响应,有Zn2＋参与生成的氧化膜表现阳极光电流响应.Mott-Schottky结果表明,有Zn2＋参与生成的氧化膜平带电位较负,相同极化电压下CS-C2（CSC空间电荷电容）值较大.高温水中添加微量Zn2＋离子,能够改变Inconel600合金表面氧化膜的半导体性质.光电化学响应法是检测氧化膜中微量氧化相的一种灵敏且有效的方法.

关键词：Inconel600合金、氧化膜、半导体性质、Zn注入、高温水、光电化学响应

所属期刊栏目：69

分类号：TQ621.12

资助基金：国家自然科学基金50971059;中央高校基本科研业务费10QX42

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：2801-2806