NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆的制备、表征及形成机理研究
采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni（CH3COO）2＋PVP]@[SnCl4＋PVP]@[Zn（CH3COO）2＋PVP]@[Ti（OC4H9）4＋CH3COOH＋PVP]前驱体复合电缆,将其进行热处理,制备出NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆.采用热重-差热（TG-DTA）、X射线衍射（XRD）、傅立叶变换红外光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）等分析技术对样品进行了表征.结果表明,所得产物为同轴四层纳米电缆,芯层为NiO,直径为35～55 nm;第二层为SnO2,厚度为30～50 nm;第三层为Zn2TiO4,厚度为25～40 nm;壳层为TiO2,厚度为40～90 nm.对同轴四层纳米电缆的形成机理进行了探讨.
NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2、同轴四层纳米电缆、静电纺丝技术、形成机理
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TB383(工程材料学)
国家自然科学基金50972020;吉林省科技发展计划重大20070402 20060504;教育部科学技术研究重点207026;长春市科技计划2007045;吉林省教育厅“十一五”科学技术研究2007-45 2005109
2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
2471-2478
