同轴三层纳米电缆NiO@SiO2@TiO2的制备与表征
采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,成功地制备出了NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆.采用差热-热重(TG-DTA)分析、X射线衍射(XRD)分析、傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析、扫描电子显微镜(SEM)分析和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行表征,结果表明,所得产物为NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆,内层为NiO,直径大约为40～50 nm;中间层为SiO2,厚度大约为40～45 nm;外层为TiO2,厚度大约为45～50nm.对NiO@SiO2@TiO2同轴三层纳米电缆的形成机理进行了讨论.
NiO@SiO2@TiO2、同轴三层纳米电缆、静电纺丝技术
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TB383.1(工程材料学)
国家自然科学基金50972020;吉林省科技发展计划重大s.20070402;20060504;教育部科学技术研究重点207026;长春市科技计划2007045;吉林省教育厅"十一五"科学技术研究s.2007-45;2006JYT05
2011-09-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
1186-1190
