同轴静电纺丝技术制备Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角状纳米电缆与表征

摘要：

采用同轴静电纺丝技术,以氧化钇、氧化铕、正硅酸乙酯(C_8H_(20)O_4Si)、无水乙醇、PVP和DMF为原料,成功制备出大量的Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角状纳米电缆.用TG-DTA,XRD,SEM,TEM和荧光光谱等分析技术对样品进行了系统地表征,结果表明,得到的产物为Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角状纳米电缆,以无定型SiO_2为壳层,晶态Y_2O_3:Eu~(3+)球为芯,电缆直径约为200 nm,内部球平均直径约150 nm,壳层厚度约为25 nm,电缆长度>300 μm.纳米电缆内部为球状结构,沿着纤维长度方向有序排列,形貌均一.Y_2O_3:Eu~(3+)@SiO_2豆角状纳米电缆在246 nm紫外光激发下,发射出Eu~(3+)离子特征的波长为614 nm的明亮红光,对其形成机理进行了初步讨论.

关键词：同轴静电纺丝技术、豆角状纳米电缆、氧化钇、氧化铕、二氧化硅

所属期刊栏目：68

分类号：O6(化学)

资助基金：吉林省科技发展计划重大项目20070402;20060504;教育部科学技术研究项目207026;长春市科技计划项目2007045;吉林省教育厅科学技术研究项目2007-45;2006JYT05;吉林省环保局科技项目2006-24

在线出版日期：2010-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：501-507