硅掺杂的氮化硼纳米管对氯化氰吸附性能的理论研究

摘要：

为了探索氮化硼纳米管(BNNT)在化学传感器件领域的潜在应用,我们利用密度泛函理论研究T(8,0)单壁BNNT和硅掺杂的(8,0)BNNT对毒性气体氯化氰分子(C1CN)的吸附性能.结果表明,硼位或氮位硅掺杂的BNNT,均对C1CN分子存在较强的化学吸附,而纯氮化硼纳米管对C1CN仅有较弱的物理吸附.态密度的计算进一步表明硅掺杂使纳米管费米能级附近的电子结构发生显著变化,由于杂化态的引入,使带隙明显减小,增强了对毒性C1CN分子的吸附敏感性.硅掺杂的BNNT有望成为检测毒性C1CN分子的潜在资源.

关键词：氮化硼纳米管、硅、掺杂、氯化氰、密度泛函理论

所属期刊栏目：68

资助基金：国家自然科学基金.20773078,20873076;中国博士后科学基金20080430188;山东省博士后创新项目专项资金200802022

在线出版日期：2010-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：315-319