10.3321/j.issn:0567-7351.2009.23.014
一种新型分子印迹聚合物基的化学发光阵列传感器
建立了一种分子印迹-化学发光阵列传感器测定甘氨酸的新方法.该方法以甘氨酸为模板分子,合成了分子印迹聚合物微球,将该聚合物微球同定在96孔板上,用它来识别丹磺酰氯标记的廿氨酸(Dns-Gly).最后加入化学发光试剂(TCPO-H_2O_2-咪唑),测量相对化学发光强度定量检测甘氨酸.在最佳试验条件下,相对化学发光强度和甘氨酸的浓度在0.2~60 μmol/L范围内成良好的线性关系,相关系数为r=0.9972,方法的检出限为0.07 μmol/L,对1 μmol/L甘氨酸溶液进行11次平行测定,相对标准偏差为3.3%(n=11).由于以甘氨酸为模板分子合成出来的分子印迹聚合物空腔比较小,避免了非特异性吸附,使它在识别丹磺酰氯标记的甘氨酸时特异性、响应速度和灵敏度都有所增强.
分了印迹、化学发光、阵列传感器、甘氨酸
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O6(化学)
国家自然科学基金30470886
2010-03-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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