In2O3电子结构与光学性质的第一性原理计算

摘要：

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了In2O3电子结构和光学线性响应函数,系统研究了In2O3电子结构与光学性质的内在关系.利用计算的能带结构和态密度分析了带间跃迁占主导地位的In2O3材料的能量损失函数、介电函数、反射图谱,根据电荷密度差分图分析了In2O3材料的化学和电学特性.研究结果表明In2O3光学透过率在可见光范围内高达85%,可作为优异的透明导电薄膜材料.同时,计算结果为我们制备基于In2O3透明导电材料的设计与大规模应用提供了理论依据,也为监测和控制这一类透明导电材料的生长过程提供了可能性.

关键词：In2O3、光学性质、电子结构、第一性原理

所属期刊栏目：66

分类号：TQ3;O78

资助基金：美国应用材料创新基金资助项AM07012;陕西省自然科学基金2005F39

在线出版日期：2008-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1863-1868