单晶硅表面贵金属晶粒层的制备

摘要：

将预处理过的单晶硅p-Si(100)浸入含贵金属盐的HF溶液,制备了Ag,Au,Pd和Pt的品粒层.用原子力显微镜(AFM)、开路电位(OCP)、循环伏安(CV)和交流阻抗(A. c. Impedance)方法对晶粒层性能进行了考察.形貌显示,在浸镀20s后,Ag和Pd晶粒层基本上覆盖了硅基底,Ag颗粒致密,Pd颗粒之间仍有空隙且晶粒较Ag大.Au晶粒层部分覆盖了基底,而Pt只有极少数的晶粒.60s后,Ag,Pd和Au晶粒层都完全覆盖了基底,而Pt品粒仍然较少,但晶粒有所长大.循环伏安显示,Pd的溶出峰电流比Ag,Au,Pt高1个数量级.交流阻抗测量表明,Pd晶粒层阻抗最小.结果表明,Ag,Pd和Au都能用浸入沉积的方法在单晶硅上短时间内制备出晶粒层,而Pt不能,选用哪种晶粒层,需要根据后续工序和实际需要而定.

关键词：单晶硅、贵金属、晶粒层、浸入沉积

所属期刊栏目：66

分类号：O63;O6

资助基金：教育部博士点基金20030730014

在线出版日期：2008-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1215-1220