影响Langmuir-Blodgett膜中缺陷畴区的因素

摘要：

采用扫描电子显微镜(SEM)和荧光显微镜研究了基片种类、温度、制膜参数(如 Langmuir-Blodgett膜沉积压、压膜速度、提膜速度等)和LB膜层数对LB膜中缺陷畴区的影响及其对尿石矿物--水草酸钙(COM)晶体生长的指导作用.LB膜中的缺陷畴区可以诱导圆形COM沉积图形形成,但在石英基片上的图形数量只有云母基片上的5%左右.制膜温度由25 ℃降低至18 ℃时,出现非圆形COM沉积图形,尺寸亦有增大的趋势.随着沉积压从2 mN/m增大到10mN/m,云母基片上圆形COM晶体沉积图形数量减少,沉积图形尺寸趋于均一,非圆形图形数量增加.随着压膜速度增加,膜中缺陷增加.当LB膜的层数由1层增加到2,3,5层后,其诱导的COM图形数量逐渐减少,尺寸也相应减小,即单层LB膜的缺陷比多层膜的多,且更容易受到基片的影响.

关键词：LB膜、单分子膜、草酸钙、生物矿化、尿石

所属期刊栏目：66

分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金20471024;教育部留学回国人员科研启动基金[2005]55

在线出版日期：2008-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：959-963